પાવર ટ્રાન્સફોર્મર્સના વિન્ડિંગ્સના ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારનું માપન

પાવર ટ્રાન્સફોર્મર્સની સમાંતર શાખાઓના વિન્ડિંગ્સનો ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર શાખાઓ વચ્ચે ઉત્પન્ન થાય છે, જો આ કિસ્સામાં સમાંતર શાખાઓને છેડાને સોલ્ડરિંગ કર્યા વિના ઇલેક્ટ્રિકલી અસંબંધિત સર્કિટમાં વિભાજિત કરી શકાય છે.

પાવર ટ્રાન્સફોર્મર્સના ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારને અગાઉથી માપવાની ભલામણ કરવામાં આવે છે ડાઇલેક્ટ્રિક નુકશાન સ્પર્શક માપવા અને કોઇલની ક્ષમતા.

ટ્રાન્સફોર્મર વિન્ડિંગ્સના ઇન્સ્યુલેશન રેઝિસ્ટન્સનું માપન દરેક વિન્ડિંગ અને કેસ (ગ્રાઉન્ડ) વચ્ચે અને બાકીના વિન્ડિંગ્સ ડિસ્કનેક્ટ અને કેસમાં ગ્રાઉન્ડ થયેલ વિન્ડિંગ્સ વચ્ચે મેગોહમિટર વડે કરવામાં આવે છે.

પાવર ટ્રાન્સફોર્મર્સના ઇન્સ્યુલેશનની સ્થિતિ માત્ર ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારના ચોક્કસ મૂલ્ય દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે ટ્રાન્સફોર્મર્સના પરિમાણો અને તેમાં વપરાતી સામગ્રી પર આધારિત છે, પણ શોષણ ગુણાંક (પરીક્ષણ પદાર્થ, R6o «અને R15» પર વોલ્ટેજ લાગુ કર્યા પછી ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારનો ગુણોત્તર બે વાર માપવામાં આવે છે — 15 અને 60 s).તેને પ્રારંભિક બિંદુ તરીકે લેવાની મંજૂરી છે મેગોહમિટરના હેન્ડલના પરિભ્રમણની શરૂઆત.

ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારનું માપન ટ્રાન્સફોર્મર વિન્ડિંગ્સના ઇન્સ્યુલેશનમાં સ્થાનિક ખામીઓ અને ભેજની ડિગ્રી બંનેનું મૂલ્યાંકન કરવાની મંજૂરી આપે છે. ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારનું માપન ઓછામાં ઓછા 2500 V ના વોલ્ટેજ સાથે ઓછામાં ઓછા 10,000 મેગોહમ્સની ઉપલી માપ મર્યાદા સાથે મેગોહમિટર દ્વારા હાથ ધરવામાં આવવું જોઈએ. 10 kV કરતા વધુ અને નીચલા વોલ્ટેજવાળા ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે, ઓછામાં ઓછા 1000 MOhm ની ઉપલી માપ મર્યાદા સાથે 1000 V મેગોમીટર સાથે ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારનું માપન માન્ય છે.

ફિગ અનુસાર દરેક માપન શરૂ કરતા પહેલા. 1, પરીક્ષણ હેઠળની કોઇલ ઓછામાં ઓછી 2 મિનિટ માટે ગ્રાઉન્ડ હોવી આવશ્યક છે. ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર R6o «- પ્રમાણિત નથી, અને આ કિસ્સામાં સૂચક ફેક્ટરી અથવા અગાઉના પરીક્ષણોના ડેટા સાથે તેની સરખામણી છે. શોષણ ગુણાંક પણ પ્રમાણિત નથી, પરંતુ માપન પરિણામોને ધ્યાનમાં લેતી વખતે ધ્યાનમાં લેવામાં આવે છે.

સામાન્ય રીતે, બિન-ભેજવાળા ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે 10 — 30 ° સે તાપમાને, તે નીચેની મર્યાદામાં હોય છે: 10,000 kVA કરતાં ઓછા ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે 35 kV અને તેનાથી નીચેના વોલ્ટેજ સાથે — 1.3, અને ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે 110 kV અને તેથી વધુ — 1 .5 — 2. ભીના થયેલા ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે અથવા ઇન્સ્યુલેશનમાં સ્થાનિક ખામીઓ સાથે, શોષણ ગુણાંક 1 સુધી પહોંચે છે.

એ હકીકતને કારણે કે સ્વીકૃતિ પરીક્ષણો દરમિયાન ટ્રાન્સફોર્મર્સને વિવિધ ઇન્સ્યુલેશન તાપમાને માપવા જરૂરી છે, તે ધ્યાનમાં લેવું જોઈએ કે તાપમાન સાથે ગુણાંકનું મૂલ્ય બદલાય છે. ઉમેરણ Kabc = R6o » / R15 «- fig.2 માં બતાવેલ છે.

ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારની સરખામણી કરવા માટે, તેને સમાન તાપમાને માપવા અને પરીક્ષણ રિપોર્ટમાં માપન કયા તાપમાને કરવામાં આવ્યું હતું તે દર્શાવવું જરૂરી છે. સરખામણી કરતી વખતે, વિવિધ તાપમાને ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર માપનના પરિણામો સમાન તાપમાને ઘટાડી શકાય છે, એ હકીકતને ધ્યાનમાં લેતા કે દર 10 ° સે માટે તાપમાનમાં ઘટાડો R6o «લગભગ 1.5 ગણો વધે છે.

આ સંદર્ભમાં સૂચનાઓ નીચેની ભલામણો આપે છે: R6o «નું મૂલ્ય ફેક્ટરી પાસપોર્ટમાં ઉલ્લેખિત માપન તાપમાનમાં ઘટાડવું આવશ્યક છે, તે હોવું જોઈએ: 110 kV ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે - ઓછામાં ઓછું 70%, 220 kV ટ્રાન્સફોર્મર્સ માટે - ઓછામાં ઓછું 85 ટ્રાન્સફોર્મરના પાસપોર્ટમાં દર્શાવેલ મૂલ્યનો %.

ચોખા. 1. ટ્રાન્સફોર્મર વિન્ડિંગ્સના ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકારને માપવા માટેની યોજનાઓ: a — કેસીંગને સંબંધિત; b — ટ્રાન્સફોર્મરના વિન્ડિંગ્સ વચ્ચે

ચોખા. 2 વ્યસન Cabc = R6o » / R15 «

ઓઇલ પેપર ઇન્સ્યુલેશન સાથે બુશિંગ્સનો ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર 1000 - 2500 V ના વોલ્ટેજ માટે મેગોહમિટર વડે માપવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં, બુશિંગ્સના વધારાના ઇન્સ્યુલેશનનો પ્રતિકાર કનેક્ટિંગ બુશિંગ સામે માપવામાં આવે છે, જે ઓછામાં ઓછો 1000 મેગોહમ્સ હોવો જોઈએ. 10 - 30 ° સે તાપમાને. ટ્રાન્સફોર્મર બુશિંગનો પ્રાથમિક ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર ઓછામાં ઓછો 10,000 મેગોહમ હોવો જોઈએ.